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8月29日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称长鑫科技）发布公告，拟使用超募资金人民币130.00亿元投资新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金人民币50.00亿元，由其投资建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。两项投资合计使用超募资金180亿元，占公司368.10亿元超募资金规模的近一半，标志着这家国产DRAM龙头企业在登陆科创板后，正式开启了资本开支与研发投入的双轮驱动阶段。

业绩爆发 上半年业绩大幅盈利 现金流增长30倍

理解此次超募投资的分量，需要先审视长鑫科技刚刚交出的上市后首份半年报。2026年上半年，公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，较上年同期亏损23.32亿元实现大幅扭亏为盈。经营活动产生的现金流量净额达1311.56亿元，同比增长超过29倍，充沛的经营性现金流为后续资本开支提供了坚实支撑。

业绩爆发的直接驱动力来自全球DRAM供需格局的根本性转变。2025年下半年以来，人工智能算力需求快速增长，叠加主要厂商产能向HBM等高附加值产品调配，通用DRAM产品出现全球性供不应求，价格大幅上涨。长鑫科技上半年主营业务毛利率达到84.84%，第二季度归母净利润环比增长113%，产能利用率持续高位运行。

值得一提的是，上半年长鑫科技研发投入总额达68.59亿元，同比增长87.38%，研发人员规模增至7491人。研发投入占营收比例因营收增速更快而有所下降，但这恰恰反映出公司当前处于技术成果加速转化、收入规模快速扩张的良性阶段。LPDDR6相关产品已向关键客户送样验证，车规级LPDDR5X产品亦已量产并推向市场。

拟投入超募资金50亿完善IDM运营模式

在业绩高兑现的背景下，此次180亿元超募资金的投向，显示出公司对长期竞争力的战略考量。

技术研发项目总投资241亿元，拟使用超募资金130亿元，其中92.94%用于设备购置，建设周期30个月。该项目本身不单独进行投资回报测算，其价值在于通过技术赋能主营产品，推动工艺代际演进。公司已完成从第一代到第五代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的代际演进。持续的技术研发投入，是确保公司在存储密度、功耗控制及读写性能上不断突破的前提，也是应对全球三大原厂竞争的核心护城河。

后道测试基地二期项目总投资108亿元，拟投入超募资金50亿元，建设周期37个月，计划建设一座为DRAM存储芯片提供测试及模组组装的测试工厂。随着公司产能不断提升、产品种类增多，外部封测厂在测试产能和新增投资配套方面可能面临不足。自建测试产能不仅能够保障供应链安全，避免测试环节成为产能瓶颈，还能更灵活地协调产能利用、降低测试成本，进一步完善IDM运营模式。

从行业维度看，当前DRAM市场正处于供需偏紧的上行周期。据IDC预测，2026年全球DRAM供应同比增长仅约16%，而需求增速预计达45%，供需缺口可能持续至2027年上半年。中信证券亦指出，存储涨价和高景气度有望贯穿2026年全年。长鑫科技凭借2026年一季度8%的全球市场份额，已跻身全球第四大DRAM厂商，但在三星、SK海力士、美光三大原厂长期主导的格局中，份额提升空间依然广阔。

市场对存储行业周期属性的担忧并非没有道理，但长鑫科技的成长逻辑具有双重驱动力：一是行业景气带来的盈利弹性，二是国产替代进程中的份额扩张。全球DRAM市场规模有望从2025年的1536亿美元增长至2026年的6554亿美元，在国产替代与AI算力需求的双重叠加下，长鑫科技有望在周期与成长的共振中持续释放潜力。

需要指出的是，半导体行业固有的周期波动、技术研发的不确定性以及产能爬坡的进度风险，仍是该公司面临的现实挑战。此次超募资金投资议案尚需提交股东会审议，项目的最终落地效果有待时间检验。但从中长期视角看，长鑫科技在业绩高兑现期选择将充裕资金投向技术研发和产业链完善，而非单纯追求短期财务表现，体现了一家半导体龙头企业在战略定力上的成熟。在存储芯片“超级周期”与国产替代历史性机遇的交汇点上，长鑫科技正以更加扎实的路径，向着全球DRAM产业格局的更深层次参与迈进。

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